廈門中芯晶研半導體有限公司

藍寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應用

（100）、(111)晶向N、P導電型單雙拋鍺（Ge）單晶片

N型、P型、半絕緣型4H-SiC單晶切割、拋光、超薄襯底片，可定制

碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制備，可定制

單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導體晶片

SiC外延代工服務：支持4\/6英寸晶圓、科研機構\/企業定制

定制化碳化硅（SiC）外延服務支持多層結構設計

中芯晶研供應外延級化合物半導體砷化鎵（GaAs）單晶片

III-V化合物半導體銻化銦（InSb）襯底晶片，N、P型

供應磷化銦（InP）單晶片用于制備LD、HEMT等器件

寬禁帶半導體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片

三五族半導體N型、P型銻化鎵（GaSb）晶片，單面、雙面拋光

外延生長砷化鎵（GaAs）薄膜用于微波射頻器件

N型、P型、半絕緣型砷化鎵（GaAs）半導體襯底晶片

常規與定制結構碳化硅（SiC）外延片用于功率器件

高均勻性、低缺陷密度SiC外延片功率器件制造核心材料

砷化鎵（GaAs）外延片：Hall、HEMT、HBT、LD、LED器件應用

III-V族直接帶隙半導體：導電型與半絕緣型氮化鎵（GaN）襯底

高導熱SiC單晶襯底切割服務支持4\/6\/8英寸晶片

銻化鎵（GaSb）單晶III-V族化合物半導體生產可供襯底與外延片