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| 產品參數(shù) | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號 | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 品名 | 碳化硅晶片 | ||
| 晶型 | 4H | ||
| 厚度 | 可定制 | ||
| 表面處理 | 單面或雙面拋光 | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 尺寸 | 2、3、4、6英寸 | ||
| 數(shù)量 | 1 | ||
| 售賣地區(qū) | 全國 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 用途 | 半導體領域 | ||
| 等級 | 工業(yè)級、研究級、測試級 | ||
| 型號 | N型、P型、半絕緣型 | ||
碳化硅（SiC）半導體材料是一種共價鍵晶體，有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。SiC晶體存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。其中，只有4H-SiC和6H-SiC的六方結構和3C-SiC的立方結構可以用于商業(yè)用途，且4H-SiC最適用于功率元器件。碳化硅單晶處于碳化硅產業(yè)鏈的前沿，是高端芯片產業(yè)發(fā)展的基礎和關鍵。SiC襯底尺寸越大，每個單位襯底上可以制造的芯片越多，邊緣浪費越小，因此單位芯片成本越低。
可提供不同尺寸厚度、不同質量等級、不同類型的半導體碳化硅單晶襯底。根據(jù)導電類型，碳化硅襯底類型主要分為導電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數(shù)僅供參考：
1. 碳化硅襯底規(guī)格
1.1 6英寸導電N型4H-SiC襯底規(guī)格
1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格
2. 碳化硅半導體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學和電化學性能，具體參數(shù)如下表：
3. 碳化硅襯底片應用
導電N型碳化硅襯底主要用于碳化硅外延，制成碳化硅二極管、MOSFET等功率器件，應用在高溫高壓環(huán)境中，應用于新能源汽車、歸到交通、智能電網(wǎng)、航天航空等領域。
P型碳化硅襯底電子相對空穴具有較高的遷移率，并且能夠獲取更低的導通壓降，所以該類型襯底主要用于制備功率器件，特別是絕緣器件柵極雙極晶體管 (IGBT)。
而半絕緣碳化硅襯底主要用于氮化鎵（GaN）外延，制成HEMT等微波器件，用于高溫高頻環(huán)境，5G通信、衛(wèi)星、雷達等領域。
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