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| 產品參數 | |||
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| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號 | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數量 | 10 | ||
| 晶向 | （111）、（110） | ||
| 直徑 | 2、3、4英寸 | ||
| 應用 | 半導體器件 | ||
| 可售賣地區 | 全國 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | N型、P型 | ||
砷化銦（InAs）是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導體，類似于砷化鎵，其禁帶寬度為0.45eV（300K）。其外觀為灰色立方晶體，熔點為942°C，晶格常數為0.6058nm，砷化銦晶體結構為閃鋅礦結構。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知，被廣泛用作太赫茲輻射源。
可供N型和P型半導體砷化銦晶片，規格參數如下：
1. 砷化銦單晶片規格
2. InAs晶片應用
InAs單晶具有高電子遷移率，是制造霍爾器件的理想材料。此外，InAs晶片的發射波長為3.34μm，在InAs襯底上可以生長晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纖通信激光器和探測器。
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