- 產(chǎn)品
- 供應(yīng)
- 公司
- 新聞
|
|
||||||||||||||||||||||||||||
|
| ||
MOS管主要參數(shù) | ||
| ||
| 1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V； ·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。 | ||
| ||
| 2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比 ·這一特性有時以流過柵極的柵流表示 ·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。 | ||
| ||
| 3. 漏源擊穿電壓BVDS ·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS ·ID劇增的原因有下列兩個方面： （1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿 （2）漏源極間的穿通擊穿 ·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后 ，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID | ||
| ||
| 4. 柵源擊穿電壓BVGS ·在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。 | ||
| ||
| 5. 低頻跨導(dǎo)gm ·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo) ·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一個重要參數(shù) ·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi) | ||
| ||
|
6. 導(dǎo)通電阻RON | ||
| ||
| 7. 極間電容 ·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS ·CGS和CGD約為1～3pF ·CDS約在0.1～1pF之間 | ||
| ||
| 8. 低頻噪聲系數(shù)NF ·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的 ·由于它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸 出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化 ·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB） ·這個數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小 ·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù) ·MOS管的噪聲系數(shù)約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小 | ||
| ||
|
