SKIIP 3614GB17E4-6DU+SKIIP2414GB17E4-4DUK1257

SKIIP 3614GB17E4-6DU+SKIIP2414GB17E4-4DUK1257 

西門康IGBT模塊SKiiP 2414 GB12E4-4DUK312賽米控IPM

金風 華銳 聯合動力 國電 遠景 龍源 韻達 西門子歌美颯 維斯塔斯風電變頻器IGBT模塊  電容 二極管 可控硅

北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應西門康IGBT模塊SKIIP 3614GB17E4-6DU+SKIIP2414GB17E4-4DUK1257 

SKIIP2414GB17E4-4DUK1171
SKIIP2414GB17E4-4DUK310

SKIIP 3614GB17E4-6DU+SKIIP2414GB17E4-4DUK1257 是一款風電 光伏新能源 逆變器 變頻器智能IGBT模塊

SkiiP® 4 IGBT模塊的設計和性能。新型IGBT模塊中采用無基板的直接銅鍵合 (DBC) 概念，配備高性能冷卻器（散熱片）。這樣一來，由四個半橋組成的功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUHP的電流開斷能力提高了25%，能在1700 V的電壓條件下輕松開斷IGBT上明顯高于2400 A的電流

SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
SKIIP1013GB172-2D

SKiiP2414GB17E4-4DUK310

SKiiP模塊產品特點 北京京誠宏泰科技有限公司賽米控IGBT模塊SKIIP 3614GB17E4-6DU+SKIIP2414GB17E4-4DUK1257 
4合1：功率IPM  驅動器、功率半導體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風冷或水冷（HPC）
完全組裝和老化測試
高功率密度
采用了燒結技術，功率循環能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
性能比傳統水冷卻器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷卻（HPC），單側和雙側安裝在HPC水冷器上
來自賽米控高度集成的IPM-IGBT模塊--北京京誠宏泰科技有限公司
SKiiP（SEMIKRON智能功率模塊）將IGBT模塊，驅動和散熱集于一身。生產結束后的全性能測試（包括一個小時的老化測試）確保了應用的高可靠性。 北京京誠宏泰科技有限公司銷售西門康IGBT模塊SKiiP 2414 GB12E4-4DUK312賽米控IPM
SKiiP IPM 1200V和1700V產品系列為高性能和高可靠的逆變器設計樹立了基準。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度，并結合了靈活的散熱選項（風冷或水冷）以及定制的散熱器。集成了電流傳感器和全功能保護的可靠驅動技術完善了IPM的設計。
SKiiP 3在工業傳動領域得到廣泛應用。憑借其全橋或半橋拓撲，它涵蓋了從500A到2400A的電流范圍。
SKiiP 4具有半橋拓撲結構，并根據 功率循環要求進行了優化，涵蓋了高達3600A的電流范圍。
SKiiP模塊 的關鍵特性
集成驅動、功率模塊和散熱器
集成溫度測量
集成精準的電流傳感器
集成直流母線監測
SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線
免焊接的燒結技術SKiiP 4
SKiiP IGBT模塊 的優勢 北京京誠宏泰科技有限公司

得益于銀燒結和高性能冷卻器技術，SKiiP提高了對苛刻的電源循環條件的可靠性。與傳統的焊接方法相比，燒結技術延長了工作壽命，提高了對主動和被動熱循環的彈性。
SKiiP 4數字驅動器降低了設計復雜性也減少了昂貴元件的使用，它保證了開關信號和參數測量的安全隔離。除了高可靠性設計，SKiiP 4驅動器還包括CAN-bus功能。
SKiiP IPM產品系列為高性能和穩健的逆變器設計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度，結合靈活的冷卻選項，如風冷和水冷卻或定制的散熱器。可靠的驅動技術、集成的電流傳感器和全面的保護功能完善了IPM的設計。北京京誠宏泰科技有限公司銷售西門康IGBT模塊SKIIP 3614GB17E4-6DU+SKIIP2414GB17E4-4DUK1257 賽米控IPM
SKiiP 3在工業驅動領域得到了廣泛的推廣。憑借其三相全橋和半橋拓撲結構，它涵蓋的電流范圍從500A到2400A。
SKiiP 4采用半橋拓撲結構，它已針對 功率循環要求進行了優化，涵蓋了高達3600A的更高功率范圍。它是市場上智能電源模塊

SKiiP1803GB172-3DW V3

IGBT  北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應賽米控IGBT模塊SKiiP3614GB17E4-6DUL

IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。
特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐

SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVW V2
SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVL V2
SKiiP 2414 GB1 7E4-4DUHP
SKiIP 2414 GB17E4-4DUHP323
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SKiiP1213GB123-2DW V3
SKiiP1813GB123-3DL V3
SKiiP1813GB123-3DW V3
SKiiP2413GB123-4DL V3
SKiiP2413GB123-4DW V3
SKIIP1013GB172-2DK0203
SKiiP1814GB12E4-3DUL
SKiiP1814GB12E4-3DUW
SKiiP2414GB12E4-4DUL
SKiiP2414GB12E4-4DUW
SKiiP3614GB12E4-6DUL