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        SKIIP2413GB123-4DK1277西門康賽米控IGBT模塊

        <%=cpname%>
        產(chǎn)品價格: 99999/人民幣 
        最后更新: 2024-07-01 15:45:46
        產(chǎn)品產(chǎn)地: 德國
        發(fā)貨地: 北京昌平區(qū) (發(fā)貨期:當(dāng)天內(nèi)發(fā)貨)
        供應(yīng)數(shù)量: 不限
        有效期: 長期有效
        最少起訂: 1
        瀏覽次數(shù): 211
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      1. 公司基本資料信息
        • 北京京誠宏泰科技有限公司
        • 周先生先生 經(jīng)理
        • 會員[家家通會員產(chǎn)品]
        • 郵件908429905@qq.com
        • 手機18612084398
        • 電話
        • 傳真
        • 地址北京市朝陽區(qū)新華陽光大廈11層
        • 進(jìn)入商鋪
         
        產(chǎn)品詳細(xì)說明

        SKIIP2413GB123-4DK1277西門康賽米控IGBT模塊

        金風(fēng) 華銳 聯(lián)合動力 國電 遠(yuǎn)景 龍源 韻達(dá) 西門子歌美颯 維斯塔斯風(fēng)電變頻器IGBT模塊  電容 二極管 可控硅

        北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)SKIIP2413GB123-4DK1277西門康賽米控IGBT模塊

        SKIIP2414GB17E4-4DUK1171
        SKIIP2414GB17E4-4DUK310


        2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273是一款風(fēng)電 光伏新能源 逆變器 變頻器智能IGBT模塊

        SkiiP® 4 IGBT模塊的設(shè)計和性能。新型IGBT模塊中采用無基板的直接銅鍵合 (DBC) 概念,配備高性能冷卻器(散熱片)。這樣一來,由四個半橋組成的功率模塊SKiiP2414GB17E4-4DUHP的電流開斷能力提高了25%,能在1700 V的電壓條件下輕松開斷IGBT上明顯高于2400 A的電流

        SKiiP 2414 GB17E4-4DUW V2

        2XSKIIP1013GB172-2DFK0108
        SKIIP1013GB172-2D

        SKiiP2414GB17E4-4DUK310

        SKiiP模塊產(chǎn)品特點 北京京誠宏泰科技有限公司銷售2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門康賽米控IGBT模塊
        4合1:功率IPM  驅(qū)動器、功率半導(dǎo)體、高精度電流傳感器和高性能冷卻風(fēng)冷或水冷(HPC)
        完全組裝和老化測試
        高功率密度
        采用了燒結(jié)技術(shù),功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKiiP 4)
        性能比傳統(tǒng)水冷卻器高25%。用于SKiiP 4的高性能冷卻(HPC),單側(cè)和雙側(cè)安裝在HPC水冷器上
        來自賽米控高度集成的IPM-IGBT模塊--北京京誠宏泰科技有限公司
        SKiiP(SEMIKRON智能功率模塊)將IGBT模塊,驅(qū)動和散熱集于一身。生產(chǎn)結(jié)束后的全性能測試(包括一個小時的老化測試)確保了應(yīng)用的高可靠性。 北京京誠宏泰科技有限公司銷售2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門康賽米控IGBT模塊
        SKiiP IPM 1200V和1700V產(chǎn)品系列為高性能和高可靠的逆變器設(shè)計樹立了基準(zhǔn)。 SKiiP 3和SKiiP 4均具有高功率密度,并結(jié)合了靈活的散熱選項(風(fēng)冷或水冷)以及定制的散熱器。集成了電流傳感器和全功能保護(hù)的可靠驅(qū)動技術(shù)完善了IPM的設(shè)計。
        SKiiP 3在工業(yè)傳動領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。憑借其全橋或半橋拓?fù)洌w了從500A到2400A的電流范圍。
        SKiiP 4具有半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并根據(jù) 功率循環(huán)要求進(jìn)行了優(yōu)化,涵蓋了高達(dá)3600A的電流范圍。
        SKiiP模塊 的關(guān)鍵特性
        集成驅(qū)動、功率模塊和散熱器
        集成溫度測量
        集成精準(zhǔn)的電流傳感器
        集成直流母線監(jiān)測
        SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線
        免焊接的燒結(jié)技術(shù)SKiiP 4
        SKiiP IGBT模塊 的優(yōu)勢 北京京誠宏泰科技有限公司


        得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù),SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,燒結(jié)技術(shù)延長了工作壽命,提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性。
        SKiiP 4數(shù)字驅(qū)動器降低了設(shè)計復(fù)雜性也減少了昂貴元件的使用,它保證了開關(guān)信號和參數(shù)測量的安全隔離。除了高可靠性設(shè)計,SKiiP 4驅(qū)動器還包括CAN-bus功能。
        SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計樹立了一個基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,結(jié)合靈活的冷卻選項,如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散熱器。可靠的驅(qū)動技術(shù)、集成的電流傳感器和全面的保護(hù)功能完善了IPM的設(shè)計。北京京誠宏泰科技有限公司銷售2XSKIIP2414GB17E4-4DUK1273西門康賽米控IGBT模塊
        SKiiP 3在工業(yè)驅(qū)動領(lǐng)域得到了廣泛的推廣。憑借其三相全橋和半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它涵蓋的電流范圍從500A到2400A。
        SKiiP 4采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),它已針對 功率循環(huán)要求進(jìn)行了優(yōu)化,涵蓋了高達(dá)3600A的更高功率范圍。它是市場上智能電源模塊

        SKIIP1013GB172-2DL V3
        SKIIP1203GB172-2DW V3
        SKIIP1513GB172-3DL V3
        SKiiP1513GB172-3DK0244
        SKIIP1513GB172-3DK0215
        SKIIP1513GB172-3DFK0351

        SKiiP1803GB172-3DW V3

        SKIIP1803GB172-3DK0398
        SKiiP1803GB123-3DUK0299
        SKiiP1803GB172-3DFK0368
        SKiiP1813GB123-3DUK1080
        SKiiP1813GB123-3DUK0382
        SKiiP2403GB123-4DUK0381
        SKiiP2413GB123-4DUK1070
        SKiiP2403GB123-4DUK0262
        SKIIP1814GB17E4-3DL
        SKIIP1814GB17E4-3DW
        SKIIP2414GB17E4-4DL
        SKIIP2414GB17E4-4DW
        SKIIP3614GB17E4-6DL
        SKIIP3614GB17E4-6DW
        SKiiP1814GB12E4-3DUW

        IGBT  北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)SKIIP2413GB123-4DK1277西門康賽米控IGBT模塊


        IGBT是什么?
        IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
        北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)SKIIP2413GB123-4DK1277西門康賽米控IGBT模塊
        IGBT與MOSFET的對比
        MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。
        優(yōu)點:熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。
        缺點:擊穿電壓低,工作電流小。
        IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。
        特點:擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。
        IGBT的典型應(yīng)用
        電動機
        不間斷電源
        太陽能面板安裝
        電焊機
        電源轉(zhuǎn)換器與反相器
        電感充電器
        電磁爐

        SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVW V2
        SKiiP 2414 GB1 7E4-4DPVL V2
        SKiiP 2414 GB1 7E4-4DUHP

        SKiIP 2414 GB17E4-4DUHP323

        北京京誠宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)SKIIP2413GB123-4DK1277西門康賽米控IGBT模塊

        SKiiP1213GB123-2DW V3
        SKiiP1813GB123-3DL V3
        SKiiP1813GB123-3DW V3
        SKiiP2413GB123-4DL V3
        SKiiP2413GB123-4DW V3
        SKIIP1013GB172-2DK0203
        SKiiP1814GB12E4-3DUL
        SKiiP1814GB12E4-3DUW
        SKiiP2414GB12E4-4DUL
        SKiiP2414GB12E4-4DUW
        SKiiP3614GB12E4-6DUL


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