KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜

在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質(zhì)具有優(yōu)異的物理和化學特性, 一直是材料學研究的熱點.  研究發(fā)現(xiàn), 對成分和結(jié)構(gòu)的調(diào)控可實現(xiàn)薄膜材料的性能轉(zhuǎn)變, 進而獲得能滿足不同性能需求的薄膜.

在 對 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大學科研課題租采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉積條件及熱處理條件對其組織結(jié)構(gòu)和力學性能的影響.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

磁控濺射是物理氣相沉積技術(shù)中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調(diào)節(jié)鍍膜參數(shù), 得到更加致密, 均勻, 結(jié)合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環(huán)境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環(huán)保.

該實驗項目采用 Ti/ B4C 復(fù)合靶作為靶材, 通過磁控濺射方法沉積了成分、結(jié)構(gòu)可調(diào)的 Ti-B-C薄膜. 在沉積試驗之前, 背底氣壓低于510-3Pa, 再采用 Ar 離子濺射清洗30min, 工作氣壓為0.5Pa.

利用 X 射線光電子能譜 (XPS) 和 X 射線衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和結(jié)構(gòu), 利用納米壓痕法測量了 Ti-B-C 薄膜的力學性能.

KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

KRI 離子源是領(lǐng)域公認的領(lǐng)導(dǎo)者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應(yīng)用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的代理商.

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