LF 2005-S

深圳市聯(lián)大實業(yè)有限公司/深圳市群方電子有限公司

長園維安一家國內(nèi)上市公司，擁有英飛凌的技術，散熱好，內(nèi)阻低，溫升好，性價比高的一

款國內(nèi)具影響力的MOS原廠

1.通態(tài)阻抗小，通態(tài)損耗小。

由于SJ-MOS的Rdson遠遠低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS的導通損耗必然較之VDMOS要減少的多。其大大提高了系統(tǒng)產(chǎn)品上面的單體MOSFET的導通損耗，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的效率，SJ-MOS的這個優(yōu)點在大功率、大電流類的電源產(chǎn)品產(chǎn)品上，優(yōu)勢表現(xiàn)的尤為突出。

同等功率規(guī)格下封裝小，有利于功率密度的提高。

首先，同等電流以及電壓規(guī)格條件下，SJ-MOS的晶源面積要小于VDMOS工藝的晶源面積，這樣作為MOS的廠家，對于同一規(guī)格的產(chǎn)品，可以封裝出來體積相對較小的產(chǎn)品，有利于電源系統(tǒng)功率密度的提高。

其次，由于SJ-MOS的導通損耗的降低從而降低了電源類產(chǎn)品的損耗，因為這些損耗都是以熱量的形式散發(fā)出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS單體的溫升，使其保證在合適的溫度范圍內(nèi)。由于SJ-MOS可以有效的減少發(fā)熱量，減小了散熱器的體積，對于一些功率稍低的電源，甚至使用SJ-MOS后可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高了系統(tǒng)電源類產(chǎn)品的功率密度。

柵電荷小，對電路的驅動能力要求降低。

傳統(tǒng)VDMOS的柵電荷相對較大，我們在實際應用中經(jīng)常會遇到由于IC的驅動能力不足造成的溫升問題，部分產(chǎn)品在電路設計中為了增加IC的驅動能力，確保MOSFET的快速導通，我們不得不增加推挽或其它類型的驅動電路，從而增加了電路的復雜性。SJ-MOS的柵電容相對比較小，這樣就可以降低其對驅動能力的要求，提高了系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性。

2.節(jié)電容小，開關速度加快，開關損耗小。

由于SJ-MOS結構的改變，其輸出的節(jié)電容也有較大的降低，從而降低了其導通及關斷過程中的損耗。同時由于SJ-MOS柵電容也有了響應的減小，電容充電時間變短，大大的提高了SJ-MOS的開關速度。對于頻率固定的電源來說，可以有效的降低其開通及關斷損耗。提高整個電源系統(tǒng)的效率。這一點尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明顯

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