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NCE609使用先進的溝槽技術，提供優秀的RDS(ON)和低柵極充電?；パa的MOSFETs可用于形成一個電平移動的高側開關，并用于許多其他應用程序。
一般特征
● N通道
VDS=40V，ID=21A
RDS（ON）<19米? @ VGS=10V
RDS（ON）<29米? @ VGS=4.5V
● P通道
VDS=-40V，ID=-14A
RDS（ON）<35米? @ VGS=-10V
RDS（ON）<45米? @ VGS=-4.5V
● 高功率和電流處理能力
● 獲得無鉛產品
● 表面貼裝封裝
