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整流二極管的作用
整流二極管具有單向導電性，主要用于整流、穩壓和混頻等電路中。本文介紹整流二極管和穩壓二極管的參數及選擇原則。
(一)整流二極管的主要參數
1.IF— 最大平均整流電流。
指二極管長期工作時允許通過的最大正向平均電流。該電流由PN結的結面積和散熱條件決定。使用時應注意通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。
2.VR— 最大反向工作電壓。
指二極管兩端允許施加的最大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓(VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V，1N4007的VR為1OOOV.
3.IR— 反向電流。
指二極管未擊穿時反向電流值。溫度對IR的影響很大。例如1N4000系列二極管在100°C條件IR應小于500uA;在25°C時IR應小于5uA。
4.VR— 擊穿電壓。
指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。
5.tre— 反向恢復時間。
指在規定的負載、正向電流及最大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。
6.fm— 最高工作頻率。
主要由PN結的結電容及擴散電容決定，若工作頻率超過fm，則二極管的單向導電性能將不能很好地體現。例如1N4000系列二極管的fm為3kHz。
7.CO— 零偏壓電容。
指二極管兩端電壓為零時，擴散電容及結電容的容量之和。值得注意的是，由于制造工藝的限制，即使同一型號的二極管其參數的離散性也很大。手冊中給出的參數往往是一個范圍，若測試條件改變，則相應的參數也會發生變化，例如在25°C時測得1N5200系列硅塑封整流二極管的IR小于1OuA，而在100°C時IR則變為小于500uA。
(二)穩壓二極管的主要參數
1.Vz— 穩定電壓。
指穩壓管通過額定電流時兩端產生的穩定電壓值。該值隨工作電流和溫度的不同而略有改變。由于制造工藝的差別，同一型號穩壓管的穩壓值也不完全一致。例如，2CW51型穩壓管的Vzmin為3.0V, Vzmax則為3.6V。
2.Iz— 穩定電流。
指穩壓管產生穩定電壓時通過該管的電流值。低于此值時，穩壓管雖并非不能穩壓，但穩壓效果會變差;高于此值時，只要不超過額定功率損耗，也是允許的，而且穩壓性能會好一些，但要多消耗電能。
3.Rz— 動態電阻。
指穩壓管兩端電壓變化與電流變化的比值。該比值隨工作電流的不同而改變，一般是工作電流愈大，動態電阻則愈小。例如，2CW7C穩壓管的工作電流為5mA時，Rz為18?;工作電流為1OmA時，Rz為8?;為20mA時，Rz為2? > 20mA則基本維持此數值。
4.Pz— 額定功耗。
由芯片允許溫升決定，其數值為穩定電壓Vz和允許最大電流Izm的乘積。例如2CW51穩壓管的Vz為3V，Izm為20mA，則該管的Pz為60mWo
5.Ctv— 電壓溫度系數。
是說明穩定電壓值受溫度影響的參數。例如2CW58穩壓管的Ctv是+0.07%/°C，即溫度每升高1°C，其穩壓值將升高0.07%。
6.IR— 反向漏電流。
指穩壓二極管在規定的反向電壓下產生的漏電流。例如2CW58穩壓管的VR=1V時，IR=O.1uA;在VR=6V時，IR=10uA。
(三)選擇二極管的基本原則
1.要求導通電壓低時選鍺管;要求反向電流小時選硅管
整流二極管：一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。整流二極管可用半導體鍺或硅等材料制造。整流二極管的作用主要是各種低頻半波整流電路，如需達到全波整流需連成整流橋使用。
通常它包含一個PN結，有陽極和陰極兩端。P區的載流子是空穴，N區的載流子是電子。外加使P區相對N區為正的電壓時，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值0.7V），稱為正向導通狀態。若加相反的電壓，則反向電流很小（反向漏電流），稱為反向阻斷狀態。整流二極管具有明顯的單向導電性。
硅整流二極管的擊穿電壓高，反向漏電流小，高溫性能良好。通常高壓大功率整流二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過較大電流（可達上千安），但工作頻率不高一般在幾十KHz以下。
整流二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。整流二極管流電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有最大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。
