二氧化硅靶

二氧化硅，高純二氧化硅顆粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸發材料，鍍膜專用二氧化硅?
化學符號：SiO2?

沸 ? ?點：2230℃

純 ? ?度：4N

規 ? ?格：1-4mm,顆粒，靶材

分 子 量：60.08?
外 ? ?觀：白色?
熔 ? ?點：1700℃?
密 ? ?度：2.2-2.7g/cm3??
在10-4Torr真空下蒸發溫度為：1025℃?
透 明 區/nm：200-8000?
相對介電常數：3-4?
擊穿電壓/V？cm-1：106?
厚 ? ?度μm：0.03-0.3?
沉積技術：反應濺射?
折 射 率(波長/nm)：1.46(500)?
? ? ? ? ? 1.445(1600)?
線膨脹系數/℃-1:5.5×10-7?
蒸發方式：電子束?
性 ? ?能： 可用鉭舟加熱蒸發，也可用三氧化二鋁坩堝加熱蒸發，但由電阻加熱蒸發會產生分解，由電子束加熱蒸發效果很好；不溶于水和酸，但溶于氫氟酸；其微粒能與熔融堿起作用；?
應 ? ?用： 二氧化硅用途廣泛，主要用于冷光膜、防反膜、多層膜、濾光片、絕緣膜、眼鏡膜、紫外膜等。?