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品牌：建準SUNDN
型號：DP200A P/N2123HBL滾珠軸承
規格：120*120*38mm
0.13mm銅線，品質保證。
邊長中心孔矩：105*105mm
電流：0.14A
電壓：220v
結構：金屬外殼，一次成型注塑扇葉。
包裝：40臺/箱，獨立紙包裝具有合格認證
制作工藝：2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。
優點：有感，高頻特性好，體積較小
缺點：不適合做大容量，價格比較高，耐熱性能較差。
用途：耦合/震蕩，模擬/數字電路，電源濾波/退耦
無極性瓷片電容
制作工藝：薄瓷片兩面渡金屬膜銀而成。
優點：體積小，耐壓高，價格低，頻率高（有一種是高頻電容）
缺點：易碎，容量低
無極性云母電容
制作工藝：云母片上鍍兩層金屬薄膜
優點：容易生產，技術含量低。
缺點：體積大，容量小用途：震蕩、諧振、退耦及要求不高的電路無極性獨石電容體積比CBB更小，其他同CBB，有感
有極性電解電容
制作工藝：兩片鋁帶和兩層絕緣膜相互層疊，轉捆后浸在電解液中。
優點：容量大。
缺點：高頻特性不好。
鉭電容
制作工藝：用金屬鉭作為正極，在電解質外噴上金屬作為負極。
優點：穩定性好，容量大，高頻特性好。
缺點：造價高。
聚酯（滌綸）電容
符號：CL
電容量：40p--4u
額定電壓：63--630V
主要特點：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩定性差
聚苯乙烯電容
符號：CB
電容量：10p--1u
額定電壓：100V--30KV
主要特點：穩定，低損耗，體積較大
聚丙烯電容
符號：CBB
電容量：1000p--10u
額定電壓：63--2000V
主要特點：性能與聚苯相似但體積小，穩定性略差
云母電容
符號：CY
電容量：10p--0。1u
額定電壓：100V--7kV
主要特點：高穩定性，高可靠性，溫度系數小
高頻瓷介電容
符號：CC
電容量：1--6800p
額定電壓：63--500V
主要特點：高頻損耗小，穩定性好
低頻瓷介電容
符號：CT
電容量：10p--4。7u
額定電壓：50V--100V
主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差
玻璃釉電容
符號：CI
電容量：10p--0。1u
額定電壓：63--400V
主要特點：穩定性較好，損耗小，耐高溫（200度）
鋁電解電容
符號：CD
電容量：0。47--10000u
額定電壓：6。3--450V
主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大
鉭電解電容（CA）、鈮電解電容（CN）
電容量：0。1--1000u
額定電壓：6。3--125V
主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容
空氣介質可變電容器
可變電容量：100--1500p
主要特點：損耗小，效率高；可根據要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數式 等
薄膜介質可變電容器
可變電容量：15--550p
主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大
薄膜介質微調電容器
符號： 可變電容量：1--29p
主要特點：損耗較大，體積小
陶瓷介質微調電容器
符號： 可變電容量：0。3--22p
主要特點：損耗較小，體積較小
應用：精密調諧的高頻振蕩回
