SKIIP1813GB123-3DL

　　大多數(shù)過(guò)電壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)都比較完善，但是對(duì)于由高du/dt所致的過(guò)電壓故障，在設(shè)計(jì)中基本上都是采用無(wú)感電容或者RCD結(jié)構(gòu)的吸收電路。由于吸收電路設(shè)計(jì)的吸收容量不夠，會(huì)造成IGBT管損壞，對(duì)此可采用電壓鉗位，往往在集電極和柵極兩端并接齊納二極管（推薦使用美國(guó)Diodes公司的1.5KE××A產(chǎn)品系列），采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制方式。當(dāng)集電極電壓瞬間超過(guò)齊納二極管的鉗位電壓時(shí)，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應(yīng)起作用），避免了IGBT管因受集電極一發(fā)射極過(guò)電壓而損壞。

　　采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決由于過(guò)高的du/dt帶來(lái)的集電極一發(fā)射極瞬間過(guò)電壓?jiǎn)栴}，但是它的弊端是：當(dāng)IGBT管處于感性負(fù)載運(yùn)行狀態(tài)時(shí)，關(guān)斷的IGBT管由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復(fù)，其集電極和發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，承受很高的瞬間du/dt。在多數(shù)情況下該du/dt值要比IGBT管正常關(guān)斷時(shí)的集電極一發(fā)射極電壓上升率高。

　　由于米勒電容(Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流流向柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導(dǎo)致柵極一發(fā)射極電壓UGE升高，甚至超過(guò)IGBT管的開(kāi)通門(mén)限電壓UGEth，出現(xiàn)的惡劣情況就是使IGBT管被誤觸發(fā)導(dǎo)通。1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1213GB123-2DL V3   1200V----1200A
SKIIP1813GB123-3DL V3   1200V----1800A
SKIIP2413GB123-4DL V3   1200V----2400A
SKIIP613GB123-3DUL V3   1200V----600A
 
1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
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1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
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SKIIP603GB172-3DUW V3   1700V----600A
 
1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
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